Differenza tra diffusione e impianto ionico | Implantazione ionica vs diffusione
Diffusione vs Ion Implantation < La differenza tra la diffusione e l'impianto ionico può essere capita una volta capito cosa sia la diffusione e l'impianto ionico. Innanzitutto, va ricordato che la diffusione e l'impianto ionico sono due termini relativi ai semiconduttori. Sono le tecniche utilizzate per introdurre atomi di droga nei semiconduttori. Questo articolo riguarda i due processi, le loro principali differenze, vantaggi e svantaggi.
Che cos'è la diffusione?La diffusione è una delle principali tecniche utilizzate per introdurre impurità nei semiconduttori. Questo metodo considera il moto di drogante a scala atomica e, in sostanza, il processo avviene come conseguenza del gradiente di concentrazione. Il processo di diffusione avviene in sistemi chiamati "
forni di diffusione ". È abbastanza costoso e molto preciso. Ci sono
tre fonti principali di doping : gas, liquidi e solidi e le fonti gassose sono quelle più diffuse in questa tecnica (Fonti affidabili e convenienti: BF < 3 , PH 3 , AsH 3 ). In questo processo, il gas di origine reagisce con l'ossigeno sulla superficie della wafer portando ad un ossido di droga. Successivamente, si diffonde in silicio, formando una concentrazione uniforme di droga attraverso la superficie. Le sorgenti liquide sono disponibili in due forme: bolle e spin sul dopante. Bubblers convertono il liquido in un vapore per reagire con l'ossigeno e poi per formare un ossido di droga sulla superficie della cialda. Spin su doping sono soluzioni di formatura essiccata formata da SiO 2 . Fonti solide comprendono due forme: forma compressa o granulare e forma disco o wafer. I dischi di nitruro di boro (BN) sono più comunemente usati solidi solidi che possono essere ossidati a 750 - 1100 0 C.
L'impianto ionico è un'altra tecnica di introduzione di impurità (doping) ai semiconduttori. È una tecnica a bassa temperatura. Questo è considerato come un'alternativa alla diffusione ad alta temperatura per l'introduzione di droga. In questo processo, un fascio di ioni altamente energici è rivolto al semiconduttore di destinazione. Le collisioni degli ioni con gli atomi di reticolo causano la distorsione della struttura a cristallo. Il passo successivo è l'annealing, che viene seguito per rettificare il problema di distorsione.
Alcuni vantaggi della tecnica di impiantazione dello ione comprendono il controllo preciso del profilo di profondità e del dosaggio, meno sensibili alle procedure di pulizia delle superfici e presenta un'ampia gamma di materiali di maschera quali fotoresist, poli-Si, ossidi, e metallo.
Qual è la differenza tra la diffusione e l'impianto ionico?
• Nella diffusione, le particelle vengono diffuse attraverso un movimento casuale da regioni di concentrazione superiori a regioni di minore concentrazione. L'impianto ionico comporta il bombardamento del substrato con ioni, accelerando a velocità più elevate.•
Vantaggi:
La diffusione non crea danni e la fabbricazione in batch è anche possibile. L'impianto ionico è un processo a bassa temperatura. Permette di controllare la dose precisa e la profondità. L'impianto ionico è anche possibile attraverso i sottili strati di ossidi e nitruri. Comprende anche brevi tempi di processo.
• Svantaggi: La diffusione è limitata alla solubilità solida ed è un processo ad alta temperatura. Collegamenti inferiori e bassi dosaggi sono difficili dal processo di diffusione. L'impianto ionico comporta un costo aggiuntivo per il processo di ricottura.
• La diffusione ha un profilo dopante isotropico mentre l'impianto di ioni ha un profilo dopante anisotropico. Riepilogo: Impianto ionico vs diffusione
La diffusione e l'impianto ionico sono due metodi di introduzione di impurità ai semiconduttori (Silicon-Si) per controllare il tipo di maggioranza del vettore e la resistività degli strati. Nella diffusione, gli atomi dopanti si spostano dalla superficie in silicio per mezzo del gradiente di concentrazione. È attraverso meccanismi di diffusione sostitutivi o interstiziali. Nell'impianto ionico, gli atomi dopanti vengono aggiunti con forza in silicio iniettando un fascio ionico energico. La diffusione è un processo ad alta temperatura mentre l'impianto di ioni è un processo a bassa temperatura. La concentrazione del dopante e la profondità di giunzione possono essere controllati nell'impianto di ioni, ma non possono essere controllati nel processo di diffusione. La diffusione ha un profilo dopante isotropico, mentre l'impianto di ioni ha un profilo dopante anisotropico.
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